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TPSRAM 구조 관련하여 질문 있습니다!
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8T TPSRAM 구조를 설명하는 부분에서, BL와 BLB 방향 관련하여 질문이 있습니다.
RWL = 1 RBL = 1이 되어 BL값을 볼 수 있는 상태에서, 해당 구조에서는 BL = 1이 되면 M5가 켜져서 0을 읽는 부분이 제가 생각하는 동작과 반대로 된다고 생각했습니다.
만약 BL = 1인 상황에서 1의 값을 읽으려면 반대 방향의 인버터(M3, M1) 출력값인 BLB을 M5와 연결돼야 한다고 생각했는데, 이것이 맞는 생각인지 궁금합니다.
질문 읽어주셔서 감사합니다!
답변 1
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회로설계 멘토 삼코치
지식공유자
네 안녕하세요, 답변 남겨드립니다.
말씀하신 상황을 생각해보면
M5가 열려있는 상태에서 M6가 열려있고, RBL = High인 경우를 말씀해주시는 걸까요?
만약 그렇게 되면 M5와 M6의 Ron 저항이 매우 작아서 leakage가 VDD to GND로 세는 상황이긴합니다!
회로설계 멘토 삼코치
지식공유자
질문 이해했습니다.
실제 동작은 RBL에 0.4V 정도로 전압을 먼저 밀어준 다음에
M5와 M6가 열리면 RBL이 0이 되고, 이를 인버터를 태워서 1로 확인하게 됩니다.
역의 과정으로 BL 이 0이라면 0.4V가 센스엠프에 의해 1로 처리되어 인버팅된 0이라는 신호를 얻을 수 있습니다.
핵심은 인버터를 통과시킨다는 것입니다!
네 맞습니다.
SRAM의 BL=1을 read하는 과정에서, BL=1에 의해 M5이 열리고, RWL=1에 의해 M6가 열리게 되면 결국 RBL=0이 되어 원하는 동작을 하지 못하는 걸로 이해했습니다.
TPSRAM의 read 동작에 대해 제가 이해한 것과 반대로 동작하는 것 같아서 질문 드립니다. 질문 읽어주셔서 감사합니다!