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마지막 그림으로 질문하겠습니다
Mat이 모여서 Bank을 구성하고
Bank Group을 Chip으로 보며
저렇게 Chip이 4개 앞, 뒤로 있으면 DIMM구조 인것으로 이해했습니다.
여기서 row, col은 Bank Group 하나에 대해서 선택하는 것이고, Bank address는 Chip을 선택하는게 맞나요 ??
(그런데 cell와 chip은 주소가 없다고 하셔서 잘 이해가 되지않습니다)
질문2) active, row access에서 CAS도 떠야 이제 Activate가 됐다고 하셨는데, 이때 CAS = Low인거죠? 그리고 여기서 we도 떠야한다고 하셨는데 그럼 we가 1이면 write 0이면 read동작을 수행하나요?
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네 안녕하세요, 답변 남겨드립니다.
일단 아래 블로그도 한 번 참조해보시면 이해하는데 도움이 되실겁니다.
https://ryotta-205.tistory.com/64
1. DIMM 구조:
- 각 DRAM 칩은 여러 개의 Bank를 포함하고, 각 Bank는 다시 여러 개의 Row와 Column으로 나뉩니다.
- Bank Group은 여러 개의 Bank를 묶은 것으로, 각 Chip은 Bank Group을 포함합니다. 따라서 DIMM은 여러 개의 Chip으로 구성되어 있으며, 각 Chip은 여러 개의 Bank를 포함합니다.
2. 주소 선택:
- Row와 Column: 특정 Bank Group 내에서 Row와 Column을 선택하여 데이터를 접근합니다. 즉, Row 주소와 Column 주소는 특정 Bank Group 내에서의 선택을 의미합니다.
- Bank 주소: Bank 주소는 특정 Chip 내의 Bank을 선택하는 데 사용됩니다. 따라서 Bank 주소는 Chip을 선택하는 것과 관련이 있습니다.
3. Cell과 Chip의 주소:
- Cell은 DRAM의 가장 작은 데이터 저장 단위로, 주소가 없습니다. Cell은 Row와 Column의 교차점에 위치하며, Row와 Column 주소를 통해 접근됩니다.
- Chip은 여러 개의 Bank를 포함하고, 각 Bank는 Row와 Column으로 구성되므로, Chip 자체는 주소를 가지지 않지만, Chip 내의 Bank을 선택하기 위해 Bank 주소가 필요합니다.
Active, Row Access와 CAS
1. CAS (Column Address Strobe):
- CAS는 Column 주소를 선택하는 신호입니다. CAS가 Low일 때, 즉 CAS가 활성화되었을 때, 특정 Column에 대한 접근이 가능해집니다. 따라서 "Activate"가 되었다고 할 수 있습니다.
2. WE (Write Enable):
- WE는 Write Enable 신호로, WE가 1일 때는 쓰기 동작을 수행하고, WE가 0일 때는 읽기 동작을 수행합니다. 즉, WE가 1이면 데이터를 메모리에 쓰고, WE가 0이면 메모리에서 데이터를 읽어오는 동작을 하게 됩니다.