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디지털 회로설계 실무 : Computer Architecture 와 SoC 프로토콜 Digital IP 설계하기

집적도가 높은 DRAM Cell 모델링과 DRAM Interface 설계하기 (Pre-charge/Sensing/Restore등의 과정과 그에 따른 Command를 익혀봅시다.)

DRAM Flow 관련 질문

해결된 질문

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  1. Precharge 상태가 왜 VDD와 동일한지 궁금합니다. 제 생각에는 0.5Vcc를 유지해야 하는게 아닌가 싶어서 질문을 드립니다.

20:04초 그림을 보게되면 Precharge 상태에서 BL이 VDD와 동일하게 차 있는 것을 볼 수 있는데 이렇게 되면 Charge Sharing이 일어나게 되면 캐패시터에 Write되지 않은 상태(0.5Vcc)에서 무조건 전압이 높아지고, 센스 앰플에 의해 1의 신호가 전달되면 캐패시터의 값이 Write가 일어나지 않았는데도 1의 값을 저장하게 되는게 아닌가 싶어 질문 남깁니다.

 

답변 2

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답변을 늦게 드려 죄송합니다. 제가 BL이랑 커패시터 방향을 착각해서 잘못 본 것 같습니다! 괜한 혼란을 드려 죄송합니다! 글을 보는 다른분들에게 혼란을 드릴 수 있을 것 같아 본문은 삭제하도록 하겠습니다!

(+ 본문 삭제가 별도로 이루어지지 않는 것 같아 본문 글은 그대로 놔두도록 하겠습니다 !)

네네 신경써주셔서 감사합니다ㅎㅎ!
오히려 이러한 질문을 보고 다시 한 번 리뷰해보게 되는 효과가 있기 때문에 다른 분들에게도 도움이 될 수 있습니다.

또 수강하시면서 궁금한 점이 있다면 편히 질문 남겨주세요!

빠른 답변 감사드립니다!

저도 감사합니다 ㅎㅎ!

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네 안녕하세요, 답변 남겨드립니다.

일단 Precharge 그림을 다시 보면 BL의 전압은 VDD/2로 되어있는데,

이 부분에서 혹시 다른 그림을 보신것일까요? 혹시 제가 다른 그림을 보고 있는 것이라면 스크린샷 한 번 부탁드립니다.

아래 작성하신 내용을 보면 Precharge 및 Charge-sharing을 잘 이해하고 계신 것 같아서 아마도 생각중이신것이 맞는 논리일듯 한데,

혹시 그림 캡쳐 + 어떤 전압이 어떻게 되는지를 함께 표시해주시면 제가 더 정밀하게 확인해보겠습니다!

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